MELHOR OVERCLOCK DE MEMORIAS SAMSUNG

[DEMOLIDOR]

Tenho as seguintes memórias que detectei pelos dois programa abaixo:

Pelo Everest 1.5.1:

Descrição do dispositivo

DIMM1: Samsung M3 68L3223FTN-CB3

DIMM2: Samsung M3 68L3223FTN-CB3

Campo Valor

Propriedades do módulo de memória

Nome do módulo Samsung M3 68L3223FTN-CB3

Número de série 99046714h

Data de fabricação Semana 49 / 2004

Tamanho do módulo 256 MB (1 rows, 4 banks)

Tipo de módulo Unbuffered

Tipo de memória DDR SDRAM

Velocidade da memória PC2700 (166 MHz)

Largura do módulo 64 bit

tensão do módulo SSTL 2.5

Método de detecção de erros Nenhum

Taxa de atualização Reduzido (7.8 us), Self-Refresh

Temporização de Memória

@ 166 MHz 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS)

@ 133 MHz 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS)

Recursos do módulo de memória

Early RAS# Precharge Não suportado

Auto-Precharge Não suportado

Precharge All Não suportado

Write1/Read Burst Não suportado

Buffered Address/Control Inputs Não suportado

Registered Address/Control Inputs Não suportado

On-Card PLL (Clock) Não suportado

Buffered DQMB Inputs Não suportado

Registered DQMB Inputs Não suportado

Differential Clock Input Suportado

Redundant Row Address Não suportado

Pelo CPU-Z 1.26:

TIPE : DDR SDRAM

SIZE: 512 MBYTES

Frequency; 169,5

FSB DRAM: FSB - 33 MHz

CAS # Latency: 2,5 clocks

RAS # TO CAS #: 5 clocks

RAS # Precharger: 5 clocks

Cycle Time: 7 clocs

COMO FAÇO PRA MELHORAR A PERFORMANCE DAS BICHINHAS ??

[DEMOLIDOR]

Segunda parte Pelo CPU-Z 1.26:

SPD: 166 MHz

CAS # Latency: 2,5

RAS # TO CAS #: 3

RAS # Precharger: 3

TRas#: 7